| P型硅并五苯有机场效应晶体管的研制 |
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| 引用本文： | 董茂军 陶春兰 孙硕 李建丰 欧谷平 张福甲. P型硅并五苯有机场效应晶体管的研制[J]. 功能材料, 2007, 38(A02): 858-859 |
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| 作者姓名： | 董茂军 陶春兰 孙硕 李建丰 欧谷平 张福甲 |
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| 作者单位： | [1]兰州大学物理科学与技术学院,甘肃兰州730000 [2]湖南科技大学物理学院,湖南湘潭411201 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（60676033）. |
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| 摘 要： | 以P＋＋硅为衬底，热生长SiO2为栅绝缘层，真空蒸发有机半导体材料并五苯作为有源层，射频磁控溅射金作为源、漏电极，成功制作了底接触式并五苯有机场效应晶体管（OFETs）。测试表明在源漏电压为70V时，器件的载流子迁移率μ为：0．31cm^2/V.s。
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| 关 键 词： | 有机场效应晶体管 并五苯 迁移率 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）增刊-0858-02 |
| 修稿时间： | 2007-07-19 |
Pentacene organic field-effect transistors based on p-type silicon |
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| DONG Mao-jun, TAO Chun-lan, SUN Shuo, LI Jian-feng, OU Gu-ping, ZHANG Fu-jia. Pentacene organic field-effect transistors based on p-type silicon[J]. Journal of Functional Materials, 2007, 38(A02): 858-859 |
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| Authors: | DONG Mao-jun TAO Chun-lan SUN Shuo LI Jian-feng OU Gu-ping ZHANG Fu-jia |
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| Affiliation: | 1.School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou 730000, China; 2.School of Physical. Hunan University of Science and Techology. Xiangtan 411201. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | organic field-effect transistors pentacene field-effect mobility |
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