| ZnO纳米线阵列的图形化生长 |
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| 引用本文： | 艾磊,方国家,刘逆霜,王明军,赵兴中.ZnO纳米线阵列的图形化生长[J].功能材料,2007,38(A01):419-421. |
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| 作者姓名： | 艾磊 方国家 刘逆霜 王明军 赵兴中 |
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| 作者单位： | [1]武汉大学声光材料与器件教育部重点实验室,湖北武汉430072 [2]中国科学院传感技术国家联合重点实验室,上海200050 |
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| 基金项目： | 基金项目：湖北省自然科学基金资助项目（2006ABA215） |
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| 摘 要： | 采用光刻和射频磁控溅射技术在Si衬底上制备了图形化的ZnO种子层薄膜。分别采用气相榆运和水热合成法，制备了最小单元为30μm的图形化的ZnO纳米线阵列。X射线衍射（XRD）分析显示单晶纳米线阵列具有高度的c轴001]择优取向生长性质，从扫描电子显微镜（SEM）照片看出，阵列图形完整清晰，边缘整齐，纳米线阵列在室温下光致发光（PL）谱线中在380hm左右具有强烈的紫外发射峰，可见光区域发射峰得到了抑制，证明ZnO纳米线阵列氧空位缺陷少，晶体质量高。
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| 关 键 词： | ZnO纳米线 光刻 图形化生长 气相输运 水热合成 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）增刊-0419-03 |
| 修稿时间： | 2007-07-03 |
Patterned growth of ZnO nanowire arrays |
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| AI Lci, FANG Guo-jia, LIU Ni-shuang, WANG Ming-jun, ZHA Xing-zhong.Patterned growth of ZnO nanowire arrays[J].Journal of Functional Materials,2007,38(A01):419-421. |
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| Authors: | AI Lci FANG Guo-jia LIU Ni-shuang WANG Ming-jun ZHA Xing-zhong |
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| Affiliation: | 1.Key Lab of Acoustic and Photonic Materials and Devices of Ministry of Education, Wuhan University, Wuhan 430072, China; 2.State Key Laboratory of Transducer Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO nanowires photolithography patterned growth vapor phase transport hydrothermal synthesis |
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