| 退火温度对磁控溅射制备的β-FeSi2薄膜的影响 |
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| 引用本文： | 梁艳,谢泉,曾武贤,张晋敏,杨吟野,肖清泉,任雪勇.退火温度对磁控溅射制备的β-FeSi2薄膜的影响[J].功能材料,2007,38(A01):373-375. |
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| 作者姓名： | 梁艳 谢泉 曾武贤 张晋敏 杨吟野 肖清泉 任雪勇 |
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| 作者单位： | 贵州大学电子科学与信息技术学院,贵州贵阳550025 |
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| 基金项目： | 基金项目：国家自然科学基金资助项目（60566001）;教育部博士点专项科研基金资助项目（20050657003）;教育部留学回国科研基金资助项目（教外司（2005）383）;贵州省优秀青年科技人才培养计划资助项目（黔科合人：20050528）;贵州省科技厅国际合作资助项目（黔科合G（2005）400102）;贵州省教育厅重点基金资助项目（05JJ002）;贵州省留学人员科技资助项目（黔人项目（2004）03） |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射的方法，在高真空条件下，沉积金属Fe到Si（100）衬底上，然后通过真空退火炉在不同温度条件下对样品进行热处理，直接形成了β-FeSi2薄膜．采用X射线衍射仪（XRD）对样品进行了晶体结构分析，利用卢瑟福背散射（RBS）对Fe-Si化合物的形成过程中的Fe原子和Si原子的互扩散机理进行了研究，利用扫描电镜（SEM）对样品表面的显微结构进行表征，结果表明，在900℃条件下退火能够得到质量很好的β-FeSi2薄膜，超过这一温度β相将开始向α相转化，到1000℃，β-FeSi2全部转化为α-FeSi2。
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| 关 键 词： | 铁硅化物 退火温度 β-FeSi2薄膜 XRD SEM RBS |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）增刊-0373-03 |
| 修稿时间： | 2007-04-27 |
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