退火温度对磁控溅射制备的β-FeSi2薄膜的影响 |
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作者姓名: | 梁艳 谢泉 曾武贤 张晋敏 杨吟野 肖清泉 任雪勇 |
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作者单位: | 贵州大学电子科学与信息技术学院,贵州贵阳550025 |
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基金项目: | 基金项目:国家自然科学基金资助项目(60566001);教育部博士点专项科研基金资助项目(20050657003);教育部留学回国科研基金资助项目(教外司(2005)383);贵州省优秀青年科技人才培养计划资助项目(黔科合人:20050528);贵州省科技厅国际合作资助项目(黔科合G(2005)400102);贵州省教育厅重点基金资助项目(05JJ002);贵州省留学人员科技资助项目(黔人项目(2004)03) |
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摘 要: | 采用磁控溅射的方法,在高真空条件下,沉积金属Fe到Si(100)衬底上,然后通过真空退火炉在不同温度条件下对样品进行热处理,直接形成了β-FeSi2薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)对样品进行了晶体结构分析,利用卢瑟福背散射(RBS)对Fe-Si化合物的形成过程中的Fe原子和Si原子的互扩散机理进行了研究,利用扫描电镜(SEM)对样品表面的显微结构进行表征,结果表明,在900℃条件下退火能够得到质量很好的β-FeSi2薄膜,超过这一温度β相将开始向α相转化,到1000℃,β-FeSi2全部转化为α-FeSi2。
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关 键 词: | 铁硅化物 退火温度 β-FeSi2薄膜 XRD SEM RBS |
文章编号: | 1001-9731(2007)增刊-0373-03 |
修稿时间: | 2007-04-27 |
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