| 真空热处理制备β-FeSi2光电薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 沈鸿烈,高超,黄海宾.真空热处理制备β-FeSi2光电薄膜的研究[J].功能材料,2007,38(A01):370-372. |
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| 作者姓名： | 沈鸿烈 高超 黄海宾 |
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| 作者单位： | 南京航空航天大学材料科学与技术学院,江苏南京210016 |
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| 基金项目： | 基金项目;国家高技术研究发展计划（863计划）资助项目（2006AA032219） |
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| 摘 要： | 磁控溅射法沉积的Fe／Si多层膜和Fe单层膜经真空热处理后制备了β-FeSi2薄膜。Fe1nm／Si3.2nm]60多层膜在〈880℃温度下真空热处理2h后，样品均呈现β（220）／（202）择优取向，而Fe单层膜制备的样品则易形成β-FeSi2与ε-FeSi相的混合物，且取向杂乱。在920℃真空热处理后，两种样品都形成了α-FeSi2薄膜。原子力显微镜分析表明，样品表面粗糙度随热处理温度升高而变大，最大表面均方根粗糙度约为16nm。卢瑟福背散射分析发现，Fe／Si多层膜样品热处理过程中元素再分布很小。根据光吸收谱测量，Fe／Si多层膜制备的β-Fesi2薄膜的禁带宽度为0．88eV。
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| 关 键 词： | 光电薄膜 β-FeSi2 真空热处理 磁控溅射 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）增刊-0370-03 |
| 修稿时间： | 2007-05-05 |
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