| 新型近红外光电探测材料碲铟汞的研究 |
| |
| 引用本文： | 王领航 张继军 介万奇 董阳春. 新型近红外光电探测材料碲铟汞的研究[J]. 功能材料, 2007, 38(A01): 387-389 |
| |
| 作者姓名： | 王领航 张继军 介万奇 董阳春 |
| |
| 作者单位： | 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西西安710072 |
| |
| 基金项目： | 基金项目：国家自然科学基金资助项目（50336040）;西北工业大学博士创新基金资助项目（CX200606）;西北工业大学研究生种子基金资助项目（200612） |
| |
| 摘 要： | 研究了一种新型近红外光电探测材料碲铟汞（MIT）晶体，利用垂直Bridgman法成功生长了MIT单晶，并采用X-ray衍射分析、UV-NIR-IR光谱分析及Hall测试对晶体的形态结构及光电性能进行了检测。结果表明：MIT晶体为缺陷闪锌矿结构，其在中远红外波段透过性能较好（ 〉50％），并且随着波长的增大，透过增强．MIT晶体为n型半导体，室温电阻率为4．79×10^2Ω．cm，载流子迁移率为4．6×10^2cm^2．V^-1．s^-1，载流子浓度为2．83×10^13cm^-3。较低的载流子浓度，有利于降低探测器的噪声及提高探测器的能量分辨率。
|
| 关 键 词： | 碲铟汞 晶体生长 垂直布里奇曼法 光电半导体材料 近红外探测器 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）增刊-0387-03 |
| 修稿时间： | 2007-04-13 |
Study on mercury indium telluride material for near-infrared photoelectronic detectors |
| |
| WANG Ling-hang, ZHANG Ji-jun, JIE Wan-qi, DNG Yang-chun. Study on mercury indium telluride material for near-infrared photoelectronic detectors[J]. Journal of Functional Materials, 2007, 38(A01): 387-389 |
| |
| Authors: | WANG Ling-hang ZHANG Ji-jun JIE Wan-qi DNG Yang-chun |
| |
| Affiliation: | WANG Ling-hang, ZHANG Ji-jun, JIE Wan-qi, D0NG Yang-chun |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | mercury indium teiluride crystal growth vertical Bridginan method photovoitaic semiconductors NIR detector |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ |
