| 后处理工艺对BST薄膜残余应力的影响的分析 |
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| 引用本文： | 唐海军 杨传仁 陈宏伟 张继华 冯术成. 后处理工艺对BST薄膜残余应力的影响的分析[J]. 功能材料, 2007, 38(A02): 771-774 |
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| 作者姓名： | 唐海军 杨传仁 陈宏伟 张继华 冯术成 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜重点实验室,四川成都610054 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划（973计划）资助项目（Z01）. |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si（100）衬底上制备了钛酸锶钡（BST）薄膜，利用气氛炉对薄膜进行晶化处理，晶化后薄膜的应力采用XRD表征。研究其残余应力随退火气氛、退火温度以及退火降温速率变化的趋势，通过对不同后处理工艺参数实验结果的分析，得到较优化的工艺参数，以制备较小残余应力的优质BST薄膜。
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| 关 键 词： | 射频磁控溅射 钛酸锶钡薄膜 晶化 残余应力 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）增刊-0771-04 |
| 修稿时间： | 2007-07-11 |
Analysis of relationships between residual stress and annealing parameter for BST thin films |
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| TANG Hai-jun, YANG Chuan-ren, CHEN Hong-wei, ZHANG Ji-hua, FENG Shu-cheng. Analysis of relationships between residual stress and annealing parameter for BST thin films[J]. Journal of Functional Materials, 2007, 38(A02): 771-774 |
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| Authors: | TANG Hai-jun YANG Chuan-ren CHEN Hong-wei ZHANG Ji-hua FENG Shu-cheng |
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| Keywords: | RF-magnetron sputtering BST thin films post-annealing residual stress |
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