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低磁场条件下Gd5(Si1-xGex)4(x=0,0.2,0.3)合金磁热效应研究
引用本文:倪利勇,王贵,赵仑,赵娟,施锡鹏,陈明,李保卫,黄焦宏,金培育,刘金荣,徐来自.低磁场条件下Gd5(Si1-xGex)4(x=0,0.2,0.3)合金磁热效应研究[J].功能材料,2007,38(A03):1162-1164.
作者姓名:倪利勇  王贵  赵仑  赵娟  施锡鹏  陈明  李保卫  黄焦宏  金培育  刘金荣  徐来自
作者单位:[1]广东海洋大学工程学院,广东湛江524088 [2]内蒙古科技大学材料与冶金学院,内蒙古包头014010 [3]包头稀土研究院,内蒙古包头014010
基金项目:国家自然科学基金资助项目(50672015).
摘    要:用高频真空悬浮炉在氩气保护下制备了Gd5(Si1-xGex)4(x=0,0.2,0.3)系列样品,用直接测量方法测定了在永磁体提供的低磁场H=1.3T)条件下样品的磁热效应曲线(△Tad-T).结果表明,用元素Ge分别替代Gd5Si4合金中的Si原子,不能增强合金的磁热效应,但可在333~300K范围改变材料的居里温度,且磁热效应峰值范围变宽.

关 键 词:稀土金属合金  磁热效应  磁致冷材料
文章编号:1001-9731(2007)增刊-1162-03
修稿时间:2007-04-17
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