| MOCVD方法制备In2O3薄膜的性质研究 |
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| 引用本文： | 杨帆 马瑾 冯先进 孔今沂 张凯. MOCVD方法制备In2O3薄膜的性质研究[J]. 功能材料, 2007, 38(A01): 292-293 |
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| 作者姓名： | 杨帆 马瑾 冯先进 孔今沂 张凯 |
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| 作者单位： | 山东大学物理与微电子学院,山东济南250100 |
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| 基金项目： | 基金项目：国家自然科学基金资助项目（50672054） |
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| 摘 要： | 用金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法以三甲基铟为源材料，以O2为氧化气体，在蓝宝石衬底（0001）面上生长出了高质量的立方相In2O3薄膜。研究了In2O3薄膜的结构、表面形貌和光电性质。结果表明制备样品具有In2O3体心立方结构和（222）方向择优取向生长，电阻率～6．40×10^-3Ω·cm，在可见光区域的平均透过率达到了90％以上。
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| 关 键 词： | MOCVD In2O3薄膜 结构性质 光电性质 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）增刊-0292-02 |
| 修稿时间： | 2007-04-24 |
Properties of indium oxide films deposited by metal organic chemical vapor |
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| YANG Fan, MA Jin, FENG Xian-jin, KNG Ling-yi, ZHANG Kai. Properties of indium oxide films deposited by metal organic chemical vapor[J]. Journal of Functional Materials, 2007, 38(A01): 292-293 |
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| Authors: | YANG Fan MA Jin FENG Xian-jin KNG Ling-yi ZHANG Kai |
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| Affiliation: | YANG Fan, MA Jin, FENG Xian-jin, K0NG Ling-yi, ZHANG Kai |
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