| Ta2O5薄膜的离子敏感特性 |
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| 引用本文： | 吴冲若,刘刚,林海安,邱洁真. Ta2O5薄膜的离子敏感特性[J]. 材料研究学报, 1994, 8(5): 449-451 |
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| 作者姓名： | 吴冲若 刘刚 林海安 邱洁真 |
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| 作者单位： | 东南大学 |
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| 摘 要： | 用磁控溅射法制备了Ｔａ２Ｏ５薄膜，再用Ｃ－Ｖ法和ＪＦＥＴ外接薄膜电极法研究其稳定性和离子响应灵敏度。实验发现，在纯氧中沉积的厚２００ｎｍＴ２Ｏ５薄膜有较高的离子响应灵敏度，实验发现，在纯氧中沉积的厚２００ｎｍＴ２Ｏ５薄膜有较高的离子响应灵敏度和良好的稳定性。
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| 关 键 词： | Ta2O5薄膜 离子敏感 稳定性 |
| 收稿时间： | 1994-10-25 |
| 修稿时间： | 1994-10-25 |
THE ION SENSITIVE BEHAVIOR OF Ta_2O_5 MEMBRANE |
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| WU Chongruo,LIU Gang,LIN Haian,QIU Jiezheng. THE ION SENSITIVE BEHAVIOR OF Ta_2O_5 MEMBRANE[J]. Chinese Journal of Materials Research, 1994, 8(5): 449-451 |
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| Authors: | WU Chongruo LIU Gang LIN Haian QIU Jiezheng |
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| Affiliation: | WU Chongruo,LIU Gang,LIN Haian,QIU Jiezheng (Department of Electronic Engineering,Southeast University) |
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| Abstract: | The H+ sensitive behavior of Ta2O5 has ben reported on the letter. The magnetron-sputtering method was chosen for the Ta2O5 membranedeposition. C-V measurments of MIS structures were uesd for evaluatingthe stability of the membranes. It is shown that the |
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| Keywords: | Ta_2O_5 membrane ion sensitive membrane electrode stability |
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