| 聚酰亚胺LB膜MIS结构C—V特性 |
| |
| 引用本文： | 林海安,吴冲若.聚酰亚胺LB膜MIS结构C—V特性[J].材料研究学报,1994,8(1):88-92. |
| |
| 作者姓名： | 林海安 吴冲若 |
| |
| 作者单位： | 东南大学 |
| |
| 摘 要： | 本文报道了Ａｌ／ＬＢ聚酰亚胺膜／Ｐ－Ｓｉ（１００）ＭＩＳ结构的Ｃ－Ｖ特性研究结果。６７层ＬＢ膜样品Ｃ－Ｖ特性近乎理想，具有负的固定电荷密度约１０＾１＾１ｃｍ＾－＾２量级，平带时滞后小于０．３Ｖ，对于ＭＩＳ隧道结，除了在－０．５－１．５Ｖ间具有反型层箝位产生的电容峰外，在－１．５－４Ｖ间还出现了另一电容峰值，假设在强电场下隧穿能力剧增，从而结构由隧穿限制区重新进入半导体限制区，可以解释这一峰值的出现
|
| 关 键 词： | 聚酰亚胺膜 结构 特性 |
| 收稿时间： | 1994-02-25 |
| 修稿时间： | 1994-02-25 |
C- V CHARACTERISTICS OF MIS STRUCTURES WITH LANGMURI-BLODGETT POLYIMIDE FILMS |
| |
| LIN Hat'an,WU Chongruo.C- V CHARACTERISTICS OF MIS STRUCTURES WITH LANGMURI-BLODGETT POLYIMIDE FILMS[J].Chinese Journal of Materials Research,1994,8(1):88-92. |
| |
| Authors: | LIN Hat'an WU Chongruo |
| |
| Affiliation: | LIN Hat'an,WU Chongruo(Southeast University) |
| |
| Abstract: | C-V technology is an effective method of studing semiconductor interfaCe. This paper will rePort some interesting new results of C-V characteristics which are obtained from MIS tunnel junction with LB insulting films.The substrates used in present resear |
| |
| Keywords: | LB polyimide MIS tunnel junction double capacitance humps minority carrries injection like-metal-Semiconductor junction |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《材料研究学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《材料研究学报》下载全文 |
