| 新型缺陷地结构改善射频功率放大器的性能 |
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| 引用本文： | 张俊庆,游彬,门阳. 新型缺陷地结构改善射频功率放大器的性能[J]. 电子器件, 2010, 33(5). DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2010.05.013 |
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| 作者姓名： | 张俊庆 游彬 门阳 |
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| 作者单位： | 杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州,310018;杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州,310018;杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州,310018 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 提出了一种新型的缺陷地结构,并将这种新型的缺陷地结构应用于实际所设计的射频功率放大器中.这种新型的缺陷地结构,蚀刻在射频功率放大器的偏置线下面的地平面和输出匹配电路后方的地平面,经过最后和不加这种结构的射频功率放大器进行比较和测试验证,证明成功的抑制了射频功率放大器的二次、三次谐波.
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| 关 键 词： | 新型缺陷地结构 射频功率放大器 测试 谐波 |
New Defected Ground Structure to Improve the Performance of the RF Power Amplifier |
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| ZHANG Junqing,YOU Bin,MEN Yang. New Defected Ground Structure to Improve the Performance of the RF Power Amplifier[J]. Journal of Electron Devices, 2010, 33(5). DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2010.05.013 |
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| Authors: | ZHANG Junqing YOU Bin MEN Yang |
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| Abstract: | This paper presented a novel DGS structure and apply it to the actual design of RF power amplifiers. The novel DGS structure etched on the ground that under the drain bias line and behind the output matching circuit of RF power amplifier. After the comparison with RF power amplifier without the novel DGS structure and measurement, Proved the second and third harmonics of RF power amplifier are successfully suppressed. |
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| Keywords: | novel DGS RF power amplifier measurement harmonics |
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