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采用SPCVD工艺制作的低氢氮氧化硅光纤
引用本文:
屠青,李恩平.采用SPCVD工艺制作的低氢氮氧化硅光纤[J].光纤通信技术,1996(4):51-52.
作者姓名:
屠青
李恩平
摘 要:
本文主要介绍Eugene M.Dianov等人采用无氢SPCVD工艺制作首批氮氧化硅光纤的工艺过程,并分析氮氧化硅光纤的性能。这种光纤在近红外区的最小损耗为几个dB/km。光纤芯中的氮含量达到3%。
关 键 词:
SPCVD工艺
氮氧化硅光纤
氢
光损耗
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