| 气体放电伏安特性正反欧姆区间对TiN薄膜微观结构及性能的影响 |
| |
| 引用本文： | 郝娟.气体放电伏安特性正反欧姆区间对TiN薄膜微观结构及性能的影响[J].稀有金属材料与工程,2016,45(9):2439-2443. |
| |
| 作者姓名： | 郝娟 |
| |
| 作者单位： | 西安理工大学 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助（项目号51271144） |
| |
| 摘 要： | 采用脉冲控制模式将气体放电伏安特性由磁控溅射离子镀的“正欧姆” 区间引入到“反欧姆”区间，并在不同靶电流密度下制备了TiN薄膜。研究了正反欧姆区间对薄膜微观结构及性能的影响。结果表明：在靶电流密度（Itd）大于0.2A?cm-2的反欧姆区间，薄膜具有良好的表面质量和致密程度；且薄膜的硬度和膜基结合强度分别由正欧姆区间Itd为0.11A?cm-2的18.9GPa、4.5N提升到反欧姆区间Itd为0.38 A?cm-2的25.8GPa、18N。
|
| 关 键 词： | 反欧姆区 靶电流密度 TiN薄膜 离化率 |
| 收稿时间： | 2014/7/27 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2014/9/17 0:00:00 |
Influence of positive-Ohm and anti-Ohm sections of gas discharge volt-ampere characteristic on microstructure and properties |
| |
| haojuan.Influence of positive-Ohm and anti-Ohm sections of gas discharge volt-ampere characteristic on microstructure and properties[J].Rare Metal Materials and Engineering,2016,45(9):2439-2443. |
| |
| Authors: | haojuan |
| |
| Affiliation: | Xi''an University of Technology |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Anti-ohm section Target current density TiN films Ionization rate |
|
| 点击此处可从《稀有金属材料与工程》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《稀有金属材料与工程》下载全文 |
