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| HEMT的设计考虑及特殊结构HEMT的简介 | |
| 摘 要： | <正> 一、引言在由未掺杂的窄禁带材料(如GaAs)和掺杂的n型宽禁带材料(如GaAlAs)组成的选择掺杂突变异质结构中,电子将从GaAlAs转移到亲合能较大的GaAs中,出于异质结势垒的限制,将在界面附近约100薄层内形成的一个平行于界面的二维平面内自由运动,而在垂直于界面的方向是受约束(能量量子化)的二维电子系统,即二维电子气(2DEG)。由于2DEG与其离化施主母体在空间上是分离的,因而可减少离化杂质散射,提高电子迁移率μ_n,特别是在低温下,晶格振动也大为减 |
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