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壳聚糖修饰掺硼金刚石薄膜电极测定铜离子
引用本文:多思,朱宁. 壳聚糖修饰掺硼金刚石薄膜电极测定铜离子[J]. 功能材料, 2011, 42(4): 624-627
作者姓名:多思  朱宁
作者单位:天津理工大学,电子信息工程学院,天津,300384
基金项目:国家自然科学基金资助项目,天津市重大科技攻关资助项目
摘    要:通过热丝化学气相沉积(HFCVD)的方法,以钽(Ta)为衬底,三氧化二硼(Be2O3)为硼源,制备掺硼金刚石(BDD)薄膜.并采用共价键合法进一步制得壳聚糖修饰BDD薄膜电极.以此修饰电极为工作电极,在0.1mol/L,pH=4的磷酸氢二钠缓冲液中对Cu2+进行检测.实验表明,Cu2+在4.0×10-7~1.0×10-...

关 键 词:热丝化学气相沉积  掺硼金刚石薄膜  壳聚糖  铜离子

Chitosan modified boron-doped diamond thin-film electrode for determination of copper ion
DUO Si,ZHU Ning. Chitosan modified boron-doped diamond thin-film electrode for determination of copper ion[J]. Journal of Functional Materials, 2011, 42(4): 624-627
Authors:DUO Si  ZHU Ning
Abstract:
Keywords:
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