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电子束碰撞电离半导体器件
引用本文:
晨泉.电子束碰撞电离半导体器件[J].微纳电子技术,1971(10).
作者姓名:
晨泉
摘 要:
美国无线电公司等四家公司正在研制兼有半导体长寿命特性和真空管大输出特性的新型电子器件。相对于半导体靶,在电子枪上所加的偏压为负10千伏。靶是加反向偏压的二极管,电子束未碰撞它时,只有漏电流流动;电子束碰撞它时,就有正比于电子束能量的靶电流流动,故可以用来作为放大器。
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