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| 星状结构对集成电路管芯成品率的影响及其控制措施 | |
| 引用本文： | 席奎德.星状结构对集成电路管芯成品率的影响及其控制措施[J].半导体技术,1982(6). |
| 作者姓名： | 席奎德 |
| 摘 要： | 一、问题的提出 在生产实践中,我们发现,硅单晶衬底经高温工艺(氧化、锑扩散和外延)后,用西尔(Sirtl)腐蚀剂腐蚀,其表面往往呈现出具有星状结构的滑移线(图1)。在显微镜下观察,沿滑移线有成排的位错蚀坑(图2)。 在我们现行的工艺条件下,这种缺陷出现的几率为60％左右。用具有这种缺陷的外延片生产集成电路时,其管芯成品率较低,且所有好的管芯都集中在晶片的中央部位,在星状线 |
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