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硅化结形成技术

作者姓名：	黄烯章张敏

作者单位：	上海冶金研究所微电子学分部

摘要：	详细地讨论了和比较了三大类硅化硅形成方法特别是后两种方法的原理及优、缺点，并分析了硅化结形成方法的未来发展趋势。
关键词：	硅化物硅化结 MOS PJS DDO ITM 形成
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