| 硅电容压力传感器敏感器件的研究 |
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| 引用本文： | 张治国,褚斌,李颖,孙海玮,祝永峰,林洪,刘沁,匡石,陈信琦.硅电容压力传感器敏感器件的研究[J].微纳电子技术,2004,41(11):39-42. |
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| 作者姓名： | 张治国 褚斌 李颖 孙海玮 祝永峰 林洪 刘沁 匡石 陈信琦 |
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| 作者单位： | 1. 沈阳仪表科学研究院,辽宁,沈阳,110043
2. 吉林化工集团公司仪表厂,吉林,吉林,132022 |
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| 摘 要： | 研制的硅电容压力传感器芯体采用微机械加工技术,加工精度高,易于批量化生产。结构上采用对称的差动电容形式,并将其封装在专用基座中,适用于中、微压力的高精度测量,可用于目前通用压力传感器的升级产品。
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| 关 键 词： | 硅电容 压力传感器 差动电容 |
| 文章编号： | 1671-4776(2004)11-0039-04 |
| 修稿时间： | 2004年7月8日 |
Research on silicon differential capacitive pressure sensor |
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| ZHANG Zhi-guo,CHU Bin,LI Ying,SUN Hai-wei,ZHU Yong-feng,LIN Hong,LIU Qin,KUANG Shi,CHEN Xin-qi.Research on silicon differential capacitive pressure sensor[J].Micronanoelectronic Technology,2004,41(11):39-42. |
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| Authors: | ZHANG Zhi-guo CHU Bin LI Ying SUN Hai-wei ZHU Yong-feng LIN Hong LIU Qin KUANG Shi CHEN Xin-qi |
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| Affiliation: | ZHANG Zhi-guo1,CHU Bin2,LI Ying1,SUN Hai-wei1,ZHU Yong-feng1,LIN Hong1,LIU Qin1,KUANG Shi1,CHEN Xin-qi1 |
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| Abstract: | The silicon differential capacitive pressure sensor is made by micromechanical process,has a symmetrical structure. As the upgrading products of the all-purpose pressure sensor at present, the sensor is suitable for the high-accuracy pressure measurement. |
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| Keywords: | silicon capacitance pressure sensor differential dapacitance |
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