| 用于改善PtSi红外焦平面阵列器件响应特性的长焦距GaAs微透镜阵列器件的制作研究 |
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| 引用本文： | 何苗,易新建,程祖海,刘鲁勤,王英瑞.用于改善PtSi红外焦平面阵列器件响应特性的长焦距GaAs微透镜阵列器件的制作研究[J].红外与毫米波学报,2001,20(5):321-324. |
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| 作者姓名： | 何苗 易新建 程祖海 刘鲁勤 王英瑞 |
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| 作者单位： | 1. 华中科技大学
2. 中国航天总公司二院25所 |
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| 基金项目： | 国防科技重点实验室基金(编号99JS11.2.0JW0505)资助项目和国家自然科学基金(编号60086003)资助项目 |
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| 摘 要： | 提出了一种新的曲率补偿法用于长焦距微透镜阵列的制作。扫描电子显微镜（SEM）显示微透镜阵列为表面极为平缓的方底拱形阵列，表面探针测试结果显示用曲率补偿法制作的微透镜的焦距可达到3861．70um，而常规光刻热熔法很难制作出焦距超过200um的相同尺寸的微透镜阵列。微透镜阵列器件与红外焦平面阵列器件在红外显微镜下对准胶合，显著改善了红外焦平面阵列器件的响应特性。
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| 关 键 词： | GaAs 离子束刻蚀 组合器件 红外焦平面阵列器件 响应特性 砷化镓 微透镜阵列器件 曲率补偿 焦距 |
| 修稿时间： | 2001年2月8日 |
FABRICATION OF GaAs MICROLENSES ARRAY WITH LONG FOCAL LENGTH FOR IMPROVING RESPONSIVITY OF PtSi IRFPA DEVICE |
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