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PMMA表面高功率脉冲磁控溅射制备ITO涂层的研究
引用本文:冯军. PMMA表面高功率脉冲磁控溅射制备ITO涂层的研究[J]. 稀有金属材料与工程, 2020, 49(7): 2229-2233
作者姓名:冯军
基金项目:国家磁约束核聚变能发展研究专项(2018YFE0313100);南华大学博士启动基金(2016XQD29)
摘    要:采用高功率脉冲磁控溅射技术在PMMA基体上制备了ITO涂层。利用XRD、SEM对涂层进行了相结构的分析,并进行了划痕实验、光电性能测试,结果表明:偏压、氢氩流量比等工艺参数对涂层的相结构、膜基结合力、光电性能均有影响。增大偏压,膜基结合力将增强,偏压达到240 V时,膜基结合力最好(56.5N)。偏压由0 V增加到160 V的过程中,涂层晶粒增大,透射率变高( 由82.24% 增至 89.82%),电阻率变低(由0.006571 减至 0.000543 Ω.cm)。氢氩流量比由0增至0.05,透射率变低(由89.82%减至56.12% )。氢氩流量比由0增至0.03,电阻率变低(由0.000543减至0.000212 Ω.cm ) ;氢氩流量比由0.03增至0.05,电阻率变高由0.000212 增至0.000373 Ω.cm)。

关 键 词:ITO涂层;高功率脉冲磁控溅射;PMMA;脉冲偏压;氢氩流量比
收稿时间:2019-03-26
修稿时间:2020-05-29

Preparation of ITO coating on the PMMA by high-power pulse magnetron sputtering
fengjun. Preparation of ITO coating on the PMMA by high-power pulse magnetron sputtering[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2020, 49(7): 2229-2233
Authors:fengjun
Abstract:
Keywords:ITO coatings   high-power pulse magnetron sputtering   PMMA   pulsed bias   flowrate?ratio?of hydrogen?and?argon
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