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8~18GHz微波低噪声放大器的设计与实现
引用本文:董建明,王安国,何庆国,郭文椹,李振国.8~18GHz微波低噪声放大器的设计与实现[J].固体电子学研究与进展,2008,28(1):75-80.
作者姓名:董建明  王安国  何庆国  郭文椹  李振国
作者单位:1. 天津大学电子信息工程学院,天津,300072
2. 中国电子科技集团第13研究所,石家庄,050051
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划)
摘    要:采用平衡式结构设计了微波宽带低噪声放大器,测试结果:在频率为8~18GHz的宽带内增益大于30dB,增益平坦度小于3dB,噪声系数小于2.0dB,输入输出驻波比小于2.5,1dB压缩点输出功率为15.8dBm。该放大器制作在氧化铝陶瓷基板上。

关 键 词:膺配高电子迁移率晶体管  平衡式结构  宽带低噪声放大器  兰格耦合器
文章编号:1000-3819(2008)01-075-06
修稿时间:2007年4月12日
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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