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Sb2O3掺杂(Na0.84K0.16)0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷的压电与介电性能研究
引用本文:李月明,陈文,徐庆,周静,顾幸勇.Sb2O3掺杂(Na0.84K0.16)0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷的压电与介电性能研究[J].稀有金属材料与工程,2006,35(2):273-276.
作者姓名:李月明  陈文  徐庆  周静  顾幸勇
作者单位:1. 景德镇陶瓷学院,江西,景德镇,333001;武汉理工大学,湖北,武汉,430070
2. 武汉理工大学,湖北,武汉,430070
3. 景德镇陶瓷学院,江西,景德镇,333001
基金项目:中国科学院资助项目;日本NSG基金;湖北省自然科学基金
摘    要:采用传统陶瓷的制备方法,制备出Sb2O3掺杂的(Na0.84K0.16)0.5Bi0.5TiO3的无铅压电陶瓷。XRD分析表明,Sb2O3的掺杂量在0.1%~0.6%(质量分数)范围内都能够形成纯钙钛矿(ABO3)型固溶体。陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示陶瓷在升温过程中存在两个介电常数温度峰,结合不同温度下的电滞回线观测,认为两个介电峰分别是材料的铁电-反铁电和反铁电-顺电相变,宽化的介电峰同时也表明所研究陶瓷具有驰豫铁电体特征。测试了不同组成陶瓷的压电性能,在Sb2O3掺杂量为0.1%时陶瓷的压电常数d33=124pC/N,为所研究组成中的最大值,平面机电耦合系数kp=24.87%,略有下降,材料的介电常数ε33^T/ε0和介质损耗tanδ则随掺杂量的增加而增加。

关 键 词:钛酸铋钠  三氧化二锑  无铅压电陶瓷  压电性能  介电性能
文章编号:1002-185X(2006)02-0273-04
收稿时间:2004-10-23
修稿时间:2005-01-26

Piezoelectric and Dielectric Properties of Sb2O3 Doped (Na0.84K0.16)0.5Bi0.5TiO3 Lead-Free Ceramics
Li Yueming,Chen Wen,Xu Qing,Zhou Jing,Gu Xingyong.Piezoelectric and Dielectric Properties of Sb2O3 Doped (Na0.84K0.16)0.5Bi0.5TiO3 Lead-Free Ceramics[J].Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(2):273-276.
Authors:Li Yueming  Chen Wen  Xu Qing  Zhou Jing  Gu Xingyong
Affiliation:1. Jingdezhen Ceramic Institute, Jingdezhen 333001, China;2. Institute of Materials Science and Engineering, Wuhan University of technology, Wuhan 430070, China
Abstract:
Keywords:sodium-bismuth titanate  antimonious oxidize  lead-free piezoceramic  piezoelectric properties  dielectric properties
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