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| ZnO基稀磁半导体磁性起源的探索 | |
| 引用本文： | 居健,吴雪梅,诸葛兰剑. ZnO基稀磁半导体磁性起源的探索[J]. 材料导报, 2007, 21(12): 110-114 |
| 作者姓名： | 居健 吴雪梅 诸葛兰剑 |
| 作者单位： | 1. 苏州大学物理系,苏州,215006;江苏省薄膜材料重点实验室,苏州,215006 2. 苏州大学物理系,苏州,215006;江苏省薄膜材料重点实验室,苏州,215006;中国科学院等离子体物理研究所,合肥,230031 3. 苏州大学分析测试中心,苏州,215006;江苏省薄膜材料重点实验室,苏州,215006 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金（10275047、10575073）;江苏省高校自然科学基金（03KJB140116） |
| 摘 要： | 对掺杂过渡金属（TM）制备得到的ZnO基稀磁半导体的磁性起源作了理论和实验两方面知识的调研，在理论方面主要介绍了几种磁性交换的模型：直接超交换和间接超交换、载流子媒介交换和跃迁磁极子。在实验方面分析众多国内外相关文献，发现选择正确的生长条件对于成功获得稀磁半导体至关重要，低生长温度、高氧偏压和较少的TM离子掺杂浓度能促使TM掺杂物的均一分布，并能削弱反铁磁性（AFM）交换进而增进铁磁性（FM）交换。同时据文献报道发现很多样品的磁性并不是固有的，载流子尤其空穴的存在对于铁磁交换作用起着至关重要的作用。 |
| 关 键 词： | 磁性起源 稀磁半导体 交换作用 TM掺杂 铁磁性 |
Study on Origin of Magnetism of ZnO-based DMSs |
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| JU Jian,WU Xuemei,ZHUGE Lanjian. Study on Origin of Magnetism of ZnO-based DMSs[J]. Materials Review, 2007, 21(12): 110-114 | |
| Authors: | JU Jian WU Xuemei ZHUGE Lanjian |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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