| AlGaN/GaN背对背肖特基二极管氢气传感器 |
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| 引用本文： | 王新华,王晓亮,冯春,冉军学,肖红领,杨翠柏,王保柱,王军喜.AlGaN/GaN背对背肖特基二极管氢气传感器[J].半导体学报,2008,29(1):153-156. |
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| 作者姓名： | 王新华 王晓亮 冯春 冉军学 肖红领 杨翠柏 王保柱 王军喜 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083 |
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| 摘 要： | 通过溅射的方法制作了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管并测试了该器件对氢气的响应.研究了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管在25和100℃时对于10%H2(N2气中)的响应,计算了器件的灵敏度;并比较了两种温度条件下器件对于氢气响应的快慢;空气中的氧气对于器件电流的恢复有重要的作用;最后由热电子发射公式计算了器件在通入10%的氢气前后有效势垒高度的变化.
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| 关 键 词： | GaN 气体传感器 肖特基二极管 |
| 文章编号： | 0253-4177（2008）01-0153-04 |
| 收稿时间： | 7/5/2007 12:00:02 PM |
| 修稿时间： | 8/10/2007 6:09:53 PM |
Hydrogen Sensors Based on AlGaN/GaN Back-to-Back Schottky Diodes |
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| Wang Xinhu,Wang Xiaoliang,Feng Chun,Ran Junxue,Xiao Hongling,Yang Cuibai,Wang Baozhu and Wang Junxi.Hydrogen Sensors Based on AlGaN/GaN Back-to-Back Schottky Diodes[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(1):153-156. |
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| Authors: | Wang Xinhu Wang Xiaoliang Feng Chun Ran Junxue Xiao Hongling Yang Cuibai Wang Baozhu and Wang Junxi |
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| Affiliation: | Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN gas sensor Schottky diode |
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