^68Ge—^68Ga发生器的研制——^68Ge—^68Ga发生器的稳定性研究 |
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引用本文: | 汤启明,赵贵植.^68Ge—^68Ga发生器的研制——^68Ge—^68Ga发生器的稳定性研究[J].核化学与放射化学,1997,19(4):56-59. |
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作者姓名: | 汤启明 赵贵植 |
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作者单位: | 中国原子能科学研究院同位素研究所 |
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摘 要: | 研究了不同时间间隔淋洗68Ge-68Ga发生器时,68Ga的淋洗曲线、淋洗效率、68Ge的穿透率、流出液中的Sn含量及温度对68Ga淋洗效率的影响。实验结果表明,用1mol/LHCl淋洗以SnO2为吸附剂的68Ge-68Ga发生器,每次淋洗间隔时间1-14天不等,历经半年时间的淋洗,68Ge的穿透率保持在10-7数量级,淋洗液中的Sn含量保持在4×10-7以下。68Ga淋洗曲线的形状未发生变化,68Ga的淋洗效率为55%—75%,淋洗时间间隔变化不影响淋洗效率,温度对淋洗效率有较大影响。
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关 键 词: | ~(68)Ge-~(68)Ga发生器 稳定性 淋洗效率 穿透率 |
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