|
|||||
|
|
| DB—1型半导体材料禁带宽度测试装置 | |
| 作者姓名： | 王美田 魏希文 于有津 |
| 作者单位： | 大连理工大学，大连理工大学，大连理工大学 |
| 摘 要： | 一、引言半导体技术的发展必须依赖于半导体材料的发展。禁带宽度是决定半导体材料特性的一个重要参数。该参数的测定在进一步研究半导体材料的能带结构、导电特性和加快半导体技术的发展等方面具有重要的意义。DB—1型半导体材料禁带宽度测试装置的研 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||||
|
||||||||||||||||
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |