| 一种基于工艺补偿的基准电流源 |
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| 引用本文： | 李蕾,惠晓威. 一种基于工艺补偿的基准电流源[J]. 电子工程师, 2007, 33(4): 33-35 |
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| 作者姓名： | 李蕾 惠晓威 |
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| 作者单位： | 辽宁工程技术大学电信系,辽宁省葫芦岛,125105 |
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| 摘 要： | 设计了一种应用于集成电路内部的基准电流源,采用2.5 V/0.25 μm RF CMOS工艺.在电流源设计中,由工艺产生的K'(μCox)和VTH的偏差,△KN'和△VTH,会影响基准电流Iref的精确度,在原有PTAT基准电流源的基础上给出了一种电路结构,该电路能补偿△KN'和△VTH对基准电流的影响.结果通过HSPICE仿真,经工艺分析,证明其具有良好的工艺稳定性、温度系数和电源电压抑制比.
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| 关 键 词： | 基准电流源 工艺补偿 温度系数 电源电压抑制比 |
| 修稿时间： | 2006-09-112006-12-10 |
A Process Temperature Compensated CMOS Current Reference |
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| LI Lei,HUI Xiaowei. A Process Temperature Compensated CMOS Current Reference[J]. Electronic Engineer, 2007, 33(4): 33-35 |
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| Authors: | LI Lei HUI Xiaowei |
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| Affiliation: | School of Electronic Information, Liaoning Engineering Technology University, Huludao125105, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS |
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