| GexSi1—xSi应变层和超晶格及其临界厚度 |
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| 引用本文： | 罗江财.GexSi1—xSi应变层和超晶格及其临界厚度[J].半导体光电,1993,14(1):35-40,47. |
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| 作者姓名： | 罗江财 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所 高级工程师，永川 632163 |
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| 摘 要： | 异质外延层的性能和质量,往往取决于异质结构的特性。文章讨论了Ge_xSi-(1-x)/Si 应变层和应变层超晶格中的应变、位错和临界厚度,并比较了实验结果。
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| 关 键 词： | 应变层 超晶格 临界厚度 外延生长 |
Ge_xSi_(1-x)/Si Strained Layer Superlattices and Their Critical Layer Thickness |
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| Luo Jiangcai.Ge_xSi_(1-x)/Si Strained Layer Superlattices and Their Critical Layer Thickness[J].Semiconductor Optoelectronics,1993,14(1):35-40,47. |
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| Authors: | Luo Jiangcai |
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| Abstract: | The characteristics and quality of hetercepitaxial layer are depen- dent on the properties of the heterostructure.In this paper,the strain,dis- locations and critical layer thickness of Ge_xSi_(1-x)/Si strained layer superlatti- ces are discussed and comparison cf experimental results is made. |
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| Keywords: | Strained Layer Superlattice Critical Layer Thickness |
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