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| p—GaP与Au／Zn／AuSb的欧姆接触 | |
| 引用本文： | 张福甲,王德明.p—GaP与Au／Zn／AuSb的欧姆接触[J].半导体光电,1993,14(1):75-80. |
| 作者姓名： | 张福甲 王德明 |
| 作者单位： | 兰州大学物理系，兰州大学物理系，兰州大学物理系 兰州 730000，兰州 730000，兰州 730000 |
| 摘 要： | 用 SEM,AES 和 XRD 研究了 Au/Zn/AuSb 多层金属结构与 p-GaP 在525℃合金化4min 后,它们所形成的金属一半导体层的基本特性。当 GaP 的 p 型层空穴浓度是5×1.0~(18)cm~(-3)时,测量出它的比接触电阻是4×10~(-4)Ω·cm~(-2)。它比 AuZn 合金所形成的比接触电阻降低了一个数量级,从而形成了良好的金属-半导体欧姆接触。 |
| 关 键 词： | 冶金相 欧姆接触 Au／Zn／AuSb |
Ohmic contacts of p-GaP and Au/Zn/AuSb |
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| Zhang Fujia Wang Deming Li Baojun.Ohmic contacts of p-GaP and Au/Zn/AuSb[J].Semiconductor Optoelectronics,1993,14(1):75-80. | |
| Authors: | Zhang Fujia Wang Deming Li Baojun |
| Abstract: | |
| Keywords: | Specific Contact Resistance Profile Distribution Surface Morphology Metallurgical Phase |
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