| p—GaP与Au／Zn／AuSb的欧姆接触 |
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| 引用本文： | 张福甲 王德明. p—GaP与Au／Zn／AuSb的欧姆接触[J]. 半导体光电, 1993, 14(1): 75-80 |
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| 作者姓名： | 张福甲 王德明 |
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| 作者单位： | 兰州大学物理系，兰州大学物理系，兰州大学物理系 兰州 730000，兰州 730000，兰州 730000 |
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| 摘 要： | 用 SEM,AES 和 XRD 研究了 Au/Zn/AuSb 多层金属结构与 p-GaP 在525℃合金化4min 后,它们所形成的金属一半导体层的基本特性。当 GaP 的 p 型层空穴浓度是5×1.0~(18)cm~(-3)时,测量出它的比接触电阻是4×10~(-4)Ω·cm~(-2)。它比 AuZn 合金所形成的比接触电阻降低了一个数量级,从而形成了良好的金属-半导体欧姆接触。
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| 关 键 词： | 冶金相 欧姆接触 Au／Zn／AuSb |
Ohmic contacts of p-GaP and Au/Zn/AuSb |
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| Zhang Fujia Wang Deming Li Baojun. Ohmic contacts of p-GaP and Au/Zn/AuSb[J]. Semiconductor Optoelectronics, 1993, 14(1): 75-80 |
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| Authors: | Zhang Fujia Wang Deming Li Baojun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Specific Contact Resistance Profile Distribution Surface Morphology Metallurgical Phase |
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