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高温超导薄膜GdBa_2Cu_3O_(7-x)的制备和分析
引用本文:易怀仁,王瑞兰,李宏成,陆斌,刘维,陈元,尹渤,容锡深,李林.高温超导薄膜GdBa_2Cu_3O_(7-x)的制备和分析[J].半导体学报,1991,12(8):502-508.
作者姓名:易怀仁  王瑞兰  李宏成  陆斌  刘维  陈元  尹渤  容锡深  李林
摘    要:我们用原位直流磁控溅射的方法,在(100)SrTiO_3,(110)SrTiO_3,(100)LaAlO_3和(100)Zr(Y)O_2衬底上制备了高质量外延生长的GdBa_2Cu_3O_(7-s)高温超导薄膜,重复性非常好.在这四种衬底上生长的超导薄膜最高零电阻转变温度 Tco分别为 93.2、93.1、92.6和 92.5K,77K零场下的临界电流密度分别为 3.0 ×10~6,3 × 10~5,3.6 ×10~6和 1.4 × 10~6A/cm~2.我们用扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM),反射高能电子衍射(RHEED)和不同几何结构的X射线衍射研究了薄膜的结构,这些研究结果证明薄膜系外延生长的.

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