| n型AlxGa1-xN材料的电学和光学性质 |
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| 引用本文： | 彭铭曾,张洁,朱学亮,郭丽伟,贾海强,陈弘,周均铭.n型AlxGa1-xN材料的电学和光学性质[J].激光与红外,2006,36(11):1057-1059. |
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| 作者姓名： | 彭铭曾 张洁 朱学亮 郭丽伟 贾海强 陈弘 周均铭 |
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| 作者单位： | 北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所,北京,100080;北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所,北京,100080;北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所,北京,100080;北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所,北京,100080;北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所,北京,100080;北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所,北京,100080;北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所,北京,100080 |
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| 摘 要： | 文章介绍了无裂纹高导电性n型A lxGa1-xN的MOCVD生长及其电学、光学和表面形貌性质。通过A lN两步生长法,有效地解决了A lxGa1-xN外延薄膜易裂的难题。并且对其生长进行优化,减少了A lxGa1-xN外延薄膜中的受主补偿缺陷,从而实现了高导电性的n型A lxGa1-xN薄膜,其载流子浓度为4.533×1018cm-3,并且电子迁移率高达77.5cm2/V.s,已经达到了目前国际上报道的先进水平。另外光学吸收谱说明A lxGa1-xN外延薄膜在302nm处具有陡峭的带边吸收,同时结合原子力显微镜分析材料的表面形貌,证实了材料表面光滑且平整。
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| 关 键 词： | n型AlxGa1-xN MOCVD 导电性 光学吸收 |
| 文章编号： | 1001-5078（2006）11-1057-03 |
| 收稿时间： | 2006-08-18 |
| 修稿时间： | 2006-08-18 |
Electrical and Optical Properties of n-type AlxGa1-xN |
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| PENG Ming-zeng,ZHANG Jie,ZHU Xue-liang,GUO Li-wei,JIA Hai-qiang,CHEN Hong,ZHOU Jun-ming.Electrical and Optical Properties of n-type AlxGa1-xN[J].Laser & Infrared,2006,36(11):1057-1059. |
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| Authors: | PENG Ming-zeng ZHANG Jie ZHU Xue-liang GUO Li-wei JIA Hai-qiang CHEN Hong ZHOU Jun-ming |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MOCVD |
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