| 激光处理GaN薄膜的研究 |
| |
| 引用本文： | 陶华锋,杨忠孝,宁永功,屠晶景,徐洪艳. 激光处理GaN薄膜的研究[J]. 激光技术, 2005, 29(6): 652-653,656 |
| |
| 作者姓名： | 陶华锋 杨忠孝 宁永功 屠晶景 徐洪艳 |
| |
| 作者单位： | 电子科技大学,微电子与固体电子学院,成都,610054;电子科技大学,微电子与固体电子学院,成都,610054;电子科技大学,微电子与固体电子学院,成都,610054;电子科技大学,微电子与固体电子学院,成都,610054;电子科技大学,微电子与固体电子学院,成都,610054 |
| |
| 摘 要： | 通过激光损伤实验,报道了GaN薄膜10.6μm CO2激光的损伤阈值是64 J/cm2;为了改善GaN薄膜质量,对其进行了10.6μm CO2激光辐照处理,结果表明,处理后GaN薄膜的缺陷密度明显降低.并对机理进行了分析.
|
| 关 键 词： | GaN薄膜 损伤阈值 激光处理 缺陷密度 |
| 文章编号： | 1001-3806（2005）06-0652-02 |
| 收稿时间： | 2004-08-20 |
| 修稿时间： | 2004-08-202004-11-17 |
The research of laser treatment of GaN thin film |
| |
| TAO Hua-feng,YANG Zhong-xiao,NING Yong-gong,TU Jing-jing,Xu Hong-yan. The research of laser treatment of GaN thin film[J]. Laser Technology, 2005, 29(6): 652-653,656 |
| |
| Authors: | TAO Hua-feng YANG Zhong-xiao NING Yong-gong TU Jing-jing Xu Hong-yan |
| |
| Affiliation: | School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology, Chengdu 610054, China |
| |
| Abstract: | Through laser damage experiment,the damage threshold of GaN thin film at 10.6μm is reported,i.e.64J/cm2.To improve the quality of GaN thin film,laser treating experiment is investigated by 10.6μm CO2 laser.The results show that the defect density is decreased great after treatment.Finally,treating mechanism is analyzed. |
| |
| Keywords: | GaN thin film damage threshold laser treatment defect density |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《激光技术》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《激光技术》下载免费的PDF全文 |
|
