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硅—钛—硼掺杂金刚石烧结过程的研究
引用本文:文涛,殷声.硅—钛—硼掺杂金刚石烧结过程的研究[J].粉末冶金技术,1992,10(1):13-18.
作者姓名:文涛  殷声
作者单位:北京科技大学,北京科技大学,北京科技大学 北京 100083,北京 100083,北京 100083
摘    要:采用x射线衍射分析和透射电镜观察,研究了硅-钛-硼掺杂金刚石在烧结过程中各物相的反应。随着烧结温度的升高,硅、钛分别与金刚石表面石墨化的碳反应生成SiC和TiC,硅与钛反应形成TiSi_2。在1500~1600℃,TiSi_2发生分解,新生的硅和钛与金刚石表面剩余的石墨反应生成相应的碳化物。通过金刚石颗粒间的碳化物的烧结,将金刚石粘结起来。

关 键 词:      渗杂  金刚石  烧结过程

INVESTIGATION OF SINTERING PROCESS OF SILICON-TITANIUM-BORON DOPED DIAMOND
Wen Tao,Yin Sheng and Lai Heyi.INVESTIGATION OF SINTERING PROCESS OF SILICON-TITANIUM-BORON DOPED DIAMOND[J].Powder Metallurgy Technology,1992,10(1):13-18.
Authors:Wen Tao  Yin Sheng and Lai Heyi
Abstract:
Keywords:Si-Ti-B doped sintering process diamond
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