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| 高面指数GaAs衬底上自组织生长应变I n0.15Ga0.85As/GaAs量子线阵列 | |
| 引用本文： | 闫发旺,张文俊,张荣桂,崔立奇,梁春广,刘式墉. 高面指数GaAs衬底上自组织生长应变I n0.15Ga0.85As/GaAs量子线阵列[J]. 半导体技术, 2001, 26(10): 74-77 |
| 作者姓名： | 闫发旺 张文俊 张荣桂 崔立奇 梁春广 刘式墉 |
| 作者单位： | 1. 信息产业部电子第十三研究所;吉林大学电子工程系 2. 信息产业部电子第十三研究所 3. 吉林大学电子工程系 |
| 摘 要： | 利用分子束外延(MBE)技术在高面指数(553)B GaA s衬底上自组织生长了应变Ga0.85In0.15As/GaAs量子线阵列结构.通过原子力显微镜(AFM)对Ga0.85In0.15A s外延层的表面形貌进行了观测.测试结果表明量子线的密度高达4×105/cm.研究了量子线阵列样品的低温偏振光致发光谱(PPL),发现其发光峰半高宽(FWHM)最小为9.2 MeV,最大偏振度p[ (I -I )/(I +I)]可达0.22,这些测试结果表明制备出了高密度、高均匀性及特性良好的一维量子线阵列结构. |
| 关 键 词： | 分子束外延 量子线阵列 砷化镓 自组织生长 |
| 文章编号： | 1003-353(2001)10-0074-04 |
Strained In0.15Ga0.85As/GaAs quantum wire array self-organized on high-index GaAs substrate by MBE |
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| YAN Fa-wang,ZHANG Wen-jun ZHANG Rong-gui CUI Li-qi,LLANG Chun-guang,LIU Shi-yong. Strained In0.15Ga0.85As/GaAs quantum wire array self-organized on high-index GaAs substrate by MBE[J]. Semiconductor Technology, 2001, 26(10): 74-77 | |
| Authors: | YAN Fa-wang ZHANG Wen-jun ZHANG Rong-gui CUI Li-qi LLANG Chun-guang LIU Shi-yong |
| Affiliation: | YAN Fa-wang12,ZHANG Wen-jun1 ZHANG Rong-gui1 CUI Li-qi1,LLANG Chun-guang1,LIU Shi-yong2 |
| Abstract: | |
| Keywords: | MBE high index quantum wire array |
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