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| p型GaN的渐变δ掺杂研究 | |
| 作者姓名： | 邹泽亚 刘挺 王振 赵红 赵文伯 罗木昌 杨谟华 |
| 作者单位： | 电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054;重庆光电技术研究所,重庆,400060 |
| 摘 要： | 采用MOCVD技术及渐变δ-Mg掺杂方法生长了p型GaN薄膜,对样品进行了两步退火处理以对Mg进行激活.通过Hall测试发现,经过950℃下的第一次退火后,样品空穴浓度为1.64×1016cm-3,电阻率为77.9Ω·cm.经过750℃下的第二次退火后,样品的空穴浓度增大了10倍,电阻率减小为原来的1/20.分析认为,渐变δ掺杂减小了Mg的自补偿效应,两步退火提高了Mg的激活效率,从而显著提高了样品的空穴浓度和降低了电阻率.实验还发现,经过750℃下15min的第二次退火后得到的样品的空穴浓度最大,达5.13×1017cm-3. |
| 关 键 词： | 渐变δ掺杂 Mg掺杂 p型GaN 两步退火 MOCVD |
| 文章编号： | 1001-5868（2007）06-0825-04 |
| 收稿时间： | 2007-06-21 |
| 修稿时间： | 2007-06-21 |
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