| 热氧化ZnS∶Ga制备ZnO∶Ga薄膜及其光致发光性能 |
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| 引用本文： | 张小红,杨卿,张旭晨,马研,易筱银.热氧化ZnS∶Ga制备ZnO∶Ga薄膜及其光致发光性能[J].材料导报,2017,31(18):11-15. |
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| 作者姓名： | 张小红 杨卿 张旭晨 马研 易筱银 |
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| 作者单位： | 1. 西安理工大学材料科学与工程学院,西安,710048;2. 西安理工大学材料科学与工程学院,西安710048;陕西省电工材料与熔渗技术重点实验室,西安710048 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51202191);陕西省自然科学基础研究计划(2015JM5179);陕西省教育厅重点实验室科学研究计划项目(15JS072) |
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| 摘 要： | 利用化学浴沉积法制备了不同Ga掺杂量的ZnS(ZnS∶Ga)薄膜,并采用热氧化法生长了Ga掺杂ZnO(ZnO∶Ga)薄膜,研究了ZnO∶Ga薄膜的表面形貌、成分及光致发光性能。结果表明:Ga的掺入改变了ZnO薄膜的微观结构、化学计量比、氧空位的相对含量,进而影响了薄膜的光致发光性能。随着Ga掺杂量增加,ZnO薄膜的致密度提高,颗粒尺寸减小;同时改善了ZnO的化学计量比,氧空位相对含量随之减少;ZnO薄膜的紫外光与可见光强度比增大。
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| 关 键 词： | ZnS薄膜 ZnO薄膜 Ga掺杂 热氧化 光致发光 |
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