| 线切割InSb晶片表面损伤研究 |
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| 引用本文： | 柏伟,赵超. 线切割InSb晶片表面损伤研究[J]. 红外, 2017, 38(11): 16-19 |
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| 作者姓名： | 柏伟 赵超 |
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| 作者单位： | 华北光电技术研究所,华北光电技术研究所 |
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| 摘 要： | 利用扫描电子显微镜 (Scanning Electron Microscopy, SEM)、台阶仪和X射线衍射仪 (X-ray Diffraction, XRD) 研究了线切割InSb晶片和内圆切割晶片的表面损伤程度，定量分析了损伤层的厚度，并探讨了影响InSb切割晶片表面损伤的因素。结果表明，线切割InSb晶片的表面较平整，粗糙度小，表面损伤小，损伤层的厚度约为14 μm，小于常规内圆切割晶片。研究结果对大尺寸、大批量InSb晶片的生产及后续加工具有一定的参考价值。
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| 关 键 词： | InSb；线切割；内圆切割；表面损伤 |
| 收稿时间： | 2017-08-28 |
| 修稿时间： | 2017-09-03 |
Study of Surface Damage in Wire-electrode Cutting InSb Wafer |
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| BAI Wei and ZHAO Chao. Study of Surface Damage in Wire-electrode Cutting InSb Wafer[J]. Infrared, 2017, 38(11): 16-19 |
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| Authors: | BAI Wei and ZHAO Chao |
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| Affiliation: | North China Research Institute of Electro-optics,North China Research Institute of Electro-optics |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InSb wire-electrode cutting ID-cutting surface damage |
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