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曲折状CoFeSiB三明治薄膜及其巨磁阻抗效应
引用本文:张桂林,周勇,周志敏.曲折状CoFeSiB三明治薄膜及其巨磁阻抗效应[J].电子元件与材料,2007,26(8):16-19.
作者姓名:张桂林  周勇  周志敏
作者单位:上海交通大学,微纳科学技术研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030
基金项目:国家自然科学基金 , 国家高技术研究发展计划(863计划) , 上海市纳米科技专项基金 , 上海市应用材料研究与发展项目
摘    要:利用射频磁控溅射技术及MEMS技术,制备了曲折状三明治结构的CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜,在l~40 MHz频率下,研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应以及相应的电阻、电抗变化率。结果表明:曲折状三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应,比单层膜有较大的提高,纵向和横向最大GMI效应分别为12.2%和–18.6%。

关 键 词:电子技术  CoFeSiB/Cu/CoFeSiB  巨磁阻抗  曲折状结构  三明治薄膜  MEMS
文章编号:1001-2028(2007)08-0016-04
修稿时间:2007-03-22

Giant magneto-impedance effect in CoFeSiB/Cu/CoFeSiB sandwich thin films with a meander line structure
ZHANG Gui-lin,ZHOU Yong,ZHOU Zhi-min.Giant magneto-impedance effect in CoFeSiB/Cu/CoFeSiB sandwich thin films with a meander line structure[J].Electronic Components & Materials,2007,26(8):16-19.
Authors:ZHANG Gui-lin  ZHOU Yong  ZHOU Zhi-min
Abstract:Sandwich CoFeSiB/Cu/CoFeSiB multilayer films with a meander line structure were prepared on glass substrate by RF magnetron sputtering and MEMS technology.The longitudinal and transverse gaint magneto-impedance(GMI) effects were respectively studied in the frequency range of 1~40 MHz.Experimental results show that the GMI effect is stronger in the sandwich CoFeSiB/Cu/CoFeSiB films with a meander line structure than its single layer film,and the maximum GMI effects are respectively 12.2 % and-18.6 % in longitudinal and transverse cases.
Keywords:electron technology  CoFeSiB/Cu/CoFeSiB  giant magneto-impedance  meander line structure  sandwich thin films  MEMS
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