| 快速退火工艺条件下温度对Bi4Ti3O12铁电薄膜微观结构与性能的影响 |
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| 引用本文： | 王华,任鸣放.快速退火工艺条件下温度对Bi4Ti3O12铁电薄膜微观结构与性能的影响[J].材料科学与工程学报,2006,24(1):93-97. |
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| 作者姓名： | 王华 任鸣放 |
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| 作者单位： | 桂林电子工业学院,信息材料科学与工程系,广西,桂林,541004 |
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| 摘 要： | 采用快速退火工艺在Pt/Ti/SiO2/p-Si衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜.研究了退火温度对薄膜微观结构、铁电特性及介电性能的影响.研究表明:退火温度对Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜晶相结构的影响显著,对晶粒尺寸和表面形貌的影响较小,但退火温度超过800℃后会出现焦绿石等杂相;低于750℃时,薄膜的剩余极化随退火温度升高而增大,高于750℃时却有所减小,但矫顽电场随退火温度升高而逐渐降低;退火温度对薄膜的漏电流密度有一定的影响,薄膜的漏电流密度在200kV/cm极化电场作用下低于3×10-9A/cm2,750℃时的剩余极化和矫顽电场分别为11μC/cm2和77kV/cm,具有较好的铁电和介电性能.
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| 关 键 词： | Bi4Ti3O12 铁电薄膜 快速退火工艺 快速退火工艺 工艺条件 温度升高 铁电薄膜 微观结构与性能 影响 Thin Films Microstructure and Properties Effects Temperature Technique Rapid Thermal Annealing 电场作用 剩余极化 漏电流密度 矫顽电场 杂相 焦绿石 表面形貌 晶粒尺寸 |
| 文章编号： | 1673-2812(2006)01-0093-04 |
| 修稿时间： | 2004年12月21 |
Temperature Effects on Microstructure and Properties of Bi4Ti3O12 Thin Films on Pt/Ti/SiO2/p-Si Substrates by Rapid Thermal Annealing Technique |
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| WANG Hua,REN Min-fang.Temperature Effects on Microstructure and Properties of Bi4Ti3O12 Thin Films on Pt/Ti/SiO2/p-Si Substrates by Rapid Thermal Annealing Technique[J].Journal of Materials Science and Engineering,2006,24(1):93-97. |
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| Authors: | WANG Hua REN Min-fang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Bi_4Ti_3O_(12) ferroelectric thin films RTA technique |
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