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激光区熔再结晶制作的SOI结构中杂质分布和迁移率分布研究
摘 要:
激光区熔再结晶制作的SOI结构中杂质分布和迁移率分布研究=[刊,俄]/-1993.22(1).-3~13绝缘物上硅(SOI)工艺,是微电子学最有发展前途的制作技术,特别是制作具有高速、高可靠性和高抗辐射加固性能的高集成度CMOS集成电路尤为适用。为了...
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