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| 空间生长的GaAs单晶的结构特性观察 | |
| 引用本文： | 范缇文,李成基,周伯骏.空间生长的GaAs单晶的结构特性观察[J].电子显微学报,1988(3). |
| 作者姓名： | 范缇文 李成基 周伯骏 |
| 作者单位： | 中国科学院北京电子显微镜实验室，中国科学院北京电子显微镜实验室，中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 为了提高砷化镓单晶的完整性和均匀性,中科院半导体研究所和航天部501所合作,在太空中完成了从熔体生长砷化镓单晶的实验。用电解腐蚀,透射电子显微镜(TEM)和阴极莹光(CL)对地面籽晶部分和空间重熔晶体部分的结构性质进行了比较性现察,实验结果如下:1)用KOH溶液电解腐蚀完成了对该晶体的杂质条纹显示,结果表明:地面生长的单晶有明显的杂质条纹,空间生长的晶体中无杂质条纹(图1)。2)在地面籽晶和空间生长晶体的界面处存在一个晶体完整性较高的区域。CL形貌相上显示出亮带(图2)。TEM观察发现界面区的微缺陷浓度远低于基体,存在一个宽度至少为5μm的“清洁区”,在 |
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