| p~ -n~--n结的势垒分布 |
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| 引用本文： | 赵普琴,杨锡震,李桂英,王亚非. p~ -n~--n结的势垒分布[J]. 液晶与显示, 2001, 0(1) |
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| 作者姓名： | 赵普琴 杨锡震 李桂英 王亚非 |
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| 作者单位： | 北京师范大学分析测试中心! 北京 100875，北京师范大学分析测试中心! 北京 100875，中国科学院半导体材料科学开放实验室! 北京 100083，中国科学院半导体材料科学开放实验室! 北京 100083 |
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| 摘 要： | GaP∶N绿色LED发光效率的提高有赖于对其结构参数的优化。 根据载流子分布的连续性， 由泊松方程自洽求解， 得出了半导体n~-－n结势垒分布的计算方法。 在此基础上，计入n~-区内的电位降， 计算了商用发光二极管p~ －n~-－n结构的势垒分布， 为整体结构的参数优化准备了必要的条件。
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| 关 键 词： | 磷化镓 发光二极管 势垒 |
Barrier Distribution of a p~ -n~--n Junction |
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| ZHAO Pu-qin, YANG Xi-zhen, LI Gui-ying, WANG Ya-fei. Barrier Distribution of a p~ -n~--n Junction[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2001, 0(1) |
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| Authors: | ZHAO Pu-qin YANG Xi-zhen LI Gui-ying WANG Ya-fei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaP LED barrier |
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