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| PtSi 256×256 IRCCD微型化封装技术研究 | |
| 引用本文： | 邓光华,何剑,屈伟.PtSi 256×256 IRCCD微型化封装技术研究[J].半导体光电,2000,21(Z1):59-61. |
| 作者姓名： | 邓光华 何剑 屈伟 |
| 作者单位： | 重庆光电技术研究所，重庆 400060 |
| 摘 要： | 采用倒装焊接技术，实现了PtSi 256×256 IRCCD微型化封装。对金属凸点、引线衬底的制备以及倒装焊接技术进行了研究。 |
| 关 键 词： | PtSi IRCCD 倒装焊接 引线衬底 金属凸点 PtSi IRCCD flip-chip bonding wire substrate |
| 文章编号： | 1001-5868(2000)01S-0059-03 |
| 修稿时间： | 1999年11月20日 |
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