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PtSi 256×256 IRCCD微型化封装技术研究
作者姓名:邓光华  何剑  屈伟
作者单位:重庆光电技术研究所,重庆 400060
摘    要:采用倒装焊接技术,实现了PtSi 256×256 IRCCD微型化封装。对金属凸点、引线衬底的制备以及倒装焊接技术进行了研究。

关 键 词:PtSi IRCCD  倒装焊接  引线衬底  金属凸点  PtSi IRCCD  flip-chip bonding  wire substrate
文章编号:1001-5868(2000)01S-0059-03
修稿时间:1999-11-20
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