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| H原子吸附对Si（113）表面的影响 | |
| 作者姓名： | 张瑞勤 吴汲安 邢益荣 |
| 作者单位： | 山东大学光电材料与器件研究所，中国科学院半导体研究所，中国科学院表面物理实验室 |
| 摘 要： | 本文采用半经验分子轨道理论方法ＡＭＩ研究用Ｓｉ１６Ｈ２１模拟的Ｓｉ（１１３）高指数表面及其吸附Ｈ原子的体系，得到生成热和表面原子上受力随吸附的变化．从生成热分析得知，Ｓｉ（１１３）表面上形成Ｓｉ─Ｈ２吸附比Ｓｉ─Ｈ容易，且为放热吸附；受力分析指出了表面原子再构发生的趋向，而吸附则引起趋向改变． |
| 关 键 词： | 氢原子 吸附 硅（113） 半导体 表面 |
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