| 适用于智能功率IC的700v Double-ResurfLdmos研究 |
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| 引用本文： | 王书凯,程东方,徐志平,沈文星. 适用于智能功率IC的700v Double-ResurfLdmos研究[J]. 微计算机信息, 2007, 23(23): 270-271 |
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| 作者姓名： | 王书凯 程东方 徐志平 沈文星 |
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| 作者单位： | 200072,上海大学微电子中心,上海,200072 |
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| 摘 要： | 本文用Synopsys公司的TCAD工具-TWB(TAURUS WORK-BENCH)虚拟FAB进行研究设计了适用于智能功率集成电路的700v单晶扩散型Double-Resurf Ldmos。该高压管的生产工艺和标准的CMOS工艺完全兼容,只需要增加3张掩模板。通过优化工艺参数,用Medici仿真的最高耐压可以达到800v,导通电阻为16Ω,可以广泛应用于各种功率控制电路。
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| 关 键 词： | 双减少表面场 横向双扩散MOS晶体管 计算机辅助设计技术 |
| 文章编号： | 1008-0570(2007)08-2-0270-02 |
| 修稿时间： | 2007-06-23 |
The design of 700v Double-Resurf Ldmos for SPIC |
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| WANG SHUKAI,CHENG DONGFANG,XU ZHIPING,SHEN WENXING. The design of 700v Double-Resurf Ldmos for SPIC[J]. Control & Automation, 2007, 23(23): 270-271 |
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| Authors: | WANG SHUKAI CHENG DONGFANG XU ZHIPING SHEN WENXING |
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| Keywords: | Double- Resurf Ldmos TCAD |
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