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背入射AlxGa1-xN 64×1线列焦平面太阳光盲探测器
作者姓名:丁嘉欣  成彩晶  张向锋  张晓兵  鲁正雄  司俊杰  孙维国  桑立雯  张国义
作者单位:中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009;北京大学物理系,北京,100871
摘    要:在蓝宝石衬底上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.5Ga0.5N P-I-N型64元线列焦平面太阳光盲紫外探测器。测试了器件的光谱响应,其截止波长为285nm,在275nm峰值波长处的零偏电流响应率为20mA/W。测试了线列器件各元在5V反偏压下的暗电流,结果表明暗电流大约在10-8A数量级,暗电流分布均匀。线列器件各元的紫外光响应均匀性较好。

关 键 词:AlGaN  背入射  线列焦平面  太阳光盲  探测器
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